
长江存储的成功并非偶然,而是建立在持续高强度研发投入的基础上。公司每年将营收的20%以上投入研发,拥有超过5000名研发人员,累计申请专利超1万项,涵盖材料、制程、封装等多个环节。
为摆脱对海外设备与材料的依赖,长江存储积极推动产业链上下游协同创新:
作为国家“十四五”重点扶持项目,长江存储获得来自财政部、发改委、工信部等多项政策与资金支持。同时,被列入“国家集成电路创新中心”建设单位,成为国家级技术创新平台。
面对美国出口管制和技术封锁,长江存储正加快向更先进制程演进,目标在2025年前实现232层3D NAND量产,并探索新型存储技术如忆阻器、相变存储(PCM)等前沿方向,力争在全球存储芯片格局中占据主导地位。
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